CJD42C TR13 характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.75W
Исполнение корпуса	DPAK
Тип транзистора	PNP
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	6A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	100V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	1.5V @ 600mA, 6A
Обратный ток коллектора (Max)	50µA
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	15 @ 3A, 4V
Трансформация частоты	3MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.75W
Исполнение корпуса	DPAK
Тип транзистора	PNP
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	6A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	100V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	1.5V @ 600mA, 6A
Обратный ток коллектора (Max)	50µA
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	15 @ 3A, 4V
Трансформация частоты	3MHz

CJD42C TR13

CJD42C TR13 характеристики